價(jià)格
¥6,000.00
型號(hào)
SSGM-3
品牌
松盛測(cè)控
所在地
四川省 成都市
更新時(shí)間
2022-04-09 09:31:09
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化學(xué)氣相沉積裝置CVD與氣體質(zhì)量流量混合和控制的關(guān)系
CVD裝置需要用到穩(wěn)定的控制氣體的流量進(jìn)氣量,因此氣體質(zhì)量流量控制器的選擇就很關(guān)鍵,需要與整套裝置包括熱分解反應(yīng)、化學(xué)合成反應(yīng)以及化學(xué)傳輸反應(yīng)等集中控制。
在當(dāng)代,微型電子學(xué)元器件中越來(lái)越多的使用*非晶態(tài)材料,因此化學(xué)氣相沉積法在半導(dǎo)體工業(yè)中有著比較廣泛的應(yīng)用。化學(xué)氣相沉積是一種化工技術(shù),該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法。在中溫或高溫下,通過(guò)氣態(tài)的初始化合物之間的氣相化學(xué)反應(yīng)而形成固體物質(zhì)沉積在基體上?;瘜W(xué)氣相沉積是含有薄膜所需要的原子和分子的化學(xué)物質(zhì)在反應(yīng)室內(nèi)混合并在氣態(tài)下發(fā)生反應(yīng),其原子或分子沉積在晶片表面聚集形成薄膜的過(guò)程。
化學(xué)氣相沉積裝置主要包含四部分,即反應(yīng)室、加熱系統(tǒng)、供反應(yīng)氣體系統(tǒng)、反應(yīng)后氣體處理系統(tǒng)。在化學(xué)氣相沉積過(guò)程中,為了在晶片表面形成厚度均勻、質(zhì)量較佳的薄膜,必須使得反應(yīng)氣體均勻的到達(dá)晶片表面,CVD裝置供反應(yīng)氣體由原料氣體、氧化劑氣體、還原劑氣體以及將反應(yīng)氣體輸送至反應(yīng)室中的載帶氣體組成。原料氣體可由氣相、液相及固相三種形態(tài)提供。氣體可直接送入反應(yīng)室中。氣體流量控制可使用質(zhì)量流量計(jì)或針閥來(lái)實(shí)現(xiàn)。