高分辨率的顯微分析對設備有特殊的要求,以便可以得到新的信息及展現(xiàn)納米世界的秘密。 新的S-5500完全可以滿足這些需要。
技術參數(shù):
技術指標: 二次電子成像分辨率: 0.4nm (30kV) ;1.6nm (1kV) 加速電壓: 0.5~30kV 放大倍率: 60X ~ 10000X (低倍模式) ; 800~2000000X(高倍模式) 電子光學 電子槍: 冷場發(fā)射電子源 透鏡系統(tǒng): 3級電磁透鏡系統(tǒng) 物鏡光欄: 可變型 (4孔可選,在真空系統(tǒng)外進行微 調,100-50-50-30um) 消像散線圈: 八極電磁線圈系統(tǒng) 掃描線圈: 2級電磁偏轉線圈(高倍模式) ;1級電磁 線圈(低倍模式) 電子束遮擋: 靜電型(與掃描線圈同步) 樣品臺: 側插式測角臺 樣品臺移動: X:±3.5mm Y: ±2.0mm; Z: ±0.3mm T: ±40° 樣品尺寸: 大5.0mmx9.5mmx3.5mmH (Bulk) 大2.0mmx6.0mmx5.0mmH (Cross-section) 電子圖像移動: ±5um (樣品高度=0mm) 檢測器: 二次電子檢測器 上部背散射電子檢測器(可選) YAG型背散射電子檢測器(可選) BF/DF 雙STEM檢測器(可選) STEM檢測器(可選) X射線能譜儀 (可選) 顯示系統(tǒng): 操作系統(tǒng):Windows XP 顯示器:19?LCD 圖像顯示模式:1280x960 (全屏模式) 640x480 及320x320 (選區(qū)顯示) 640x480x2 (雙圖像顯示)
主要特點:
S-5500的設計可以保證0.4nm的高分辨率,從而獲得新的信息并展現(xiàn)納米世界的秘密。 1. 的物鏡設計可以使其達到世界高分辨率:0.4nm(30kV)。 2. 保證分辨率為0.4nm (30kV) 1.6nm (1kV) 3. Hitachi的技術ExB可以讓操作者優(yōu)化圖像中SE和BSE信號的比例 4. 新開發(fā)的BF/DF雙STEM檢測器可以同時顯示BF像及DF像。在DF STEM模式中還可以改變檢測角度。(可選) 5. 電子光學系統(tǒng)的改進可以不用改變樣品位置而同時進行EDS分析及形貌觀察。 6. 可以使用與FIB兼容的樣品桿。
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日立高分辨率掃描電子顯微鏡S-5500
高分辨率的顯微分析對設備有特殊的要求,以便可以得到新的信息及展現(xiàn)納米世界的秘密。
新的S-5500完全可以滿足這些需要。
技術參數(shù):
技術指標:
二次電子成像分辨率: 0.4nm (30kV) ;1.6nm (1kV)
加速電壓: 0.5~30kV
放大倍率: 60X ~ 10000X (低倍模式) ;
800~2000000X(高倍模式)
電子光學
電子槍: 冷場發(fā)射電子源
透鏡系統(tǒng): 3級電磁透鏡系統(tǒng)
物鏡光欄: 可變型 (4孔可選,在真空系統(tǒng)外進行微
調,100-50-50-30um)
消像散線圈: 八極電磁線圈系統(tǒng)
掃描線圈: 2級電磁偏轉線圈(高倍模式) ;1級電磁
線圈(低倍模式)
電子束遮擋: 靜電型(與掃描線圈同步)
樣品臺: 側插式測角臺
樣品臺移動: X:±3.5mm Y: ±2.0mm; Z: ±0.3mm
T: ±40°
樣品尺寸: 大5.0mmx9.5mmx3.5mmH (Bulk)
大2.0mmx6.0mmx5.0mmH (Cross-section)
電子圖像移動: ±5um (樣品高度=0mm)
檢測器: 二次電子檢測器
上部背散射電子檢測器(可選)
YAG型背散射電子檢測器(可選)
BF/DF 雙STEM檢測器(可選)
STEM檢測器(可選)
X射線能譜儀 (可選)
顯示系統(tǒng): 操作系統(tǒng):Windows XP
顯示器:19?LCD
圖像顯示模式:1280x960 (全屏模式)
640x480 及320x320 (選區(qū)顯示)
640x480x2 (雙圖像顯示)
主要特點:
S-5500的設計可以保證0.4nm的高分辨率,從而獲得新的信息并展現(xiàn)納米世界的秘密。
1. 的物鏡設計可以使其達到世界高分辨率:0.4nm(30kV)。
2. 保證分辨率為0.4nm (30kV) 1.6nm (1kV)
3. Hitachi的技術ExB可以讓操作者優(yōu)化圖像中SE和BSE信號的比例
4. 新開發(fā)的BF/DF雙STEM檢測器可以同時顯示BF像及DF像。在DF STEM模式中還可以改變檢測角度。(可選)
5. 電子光學系統(tǒng)的改進可以不用改變樣品位置而同時進行EDS分析及形貌觀察。
6. 可以使用與FIB兼容的樣品桿。